半导体设备行业点评报告：荷兰半导体设备管制靴子落地 ALD、EPI等设备国产化加速

　　投资要点
　　事件：6 月30 日，荷兰政府颁布先进半导体设备出口管制新规，管制范围包括光刻机、ALD、外延、沉积设备、光罩及其生产设备等。条例将于2023 年9 月1 日正式生效，此前设备发运不受影响。同日，ASML 发布公告表示新颁布的荷兰出口管制政策仅适用于TWINSCAN NXT:2000i 及后续推出的浸润式光刻机。
　　荷兰半导体设备管制“靴子落地”，范围由光刻机蔓延至ALD、Epi、沉积设备根据荷兰政府最新政策，先进光刻机、ALD 设备、Epi 设备及low-k 沉积设备、EUV 光罩保护膜及其生产设备受到出口管制。1）光刻机：EUV 和2000i 以上浸没式光刻机受限。2）ALD 设备：沉积Al 前驱体、TiAlC 和功函数高于4.0eV 的金属的ALD 设备。3）Epi 设备：具备特定参数的用于生长硅、碳掺杂硅、硅锗或碳掺杂硅锗的设备外延设备。4）沉积设备：介电常数低于3.3、金属线之间深高比≥等于1:1、宽度小于25nm 的等离子体low-k 沉积设备。5）EUV 光罩保护膜及其生产设备。
　　光刻机管制范围符合预期，其他管制设备为此次新增。此次管制主要对荷兰两大半导体设备巨头阿斯麦、先晶半导体的出口造成影响：光刻机及光罩保护膜主要生产商为荷阿斯麦（ASML），2021 年其在光刻机领域占据全球77%份额。先晶半导体（ASM）为全球ALD 设备龙头和领先的外延设备公司，2020 年ALD、外延设备全球市占率55%、15%，并在low-k 沉积设备处于领先地位。
　　国内成熟制程扩产无虞，新规驱动相关设备国产化加速根据ASML 官网，1980Di 光刻机的DCO 值小于等于1.6nm，不满足条例中规定的DCO 值小于等于1.5nm，因此不属于管制范围。此前市场担心荷兰7 月光刻机政策进一步收紧，影响国内成熟制程扩产，此次荷兰新规落地，限制范围仍限于先进制程对应的2000i 及EUV 设备，国内成熟制程扩产主要使用的1980Di 不受限。ALD 设备在45nm 及以下应用广泛，主要用于超薄膜厚度控制以及三维、超高深宽比结构器件的材料沉积，外延（Epi）用于沉积精确控制的晶体硅基层，是先进晶体管和存储器以及晶圆制造的关键工艺技术。ALD 及Epi 均为较先进制程所需相关设备，荷兰此次管制主要集中在先进节点，国内成熟制程扩产无虞。
　　ALD 设备：管制升级国产化迎来加速，微导、拓荆、华创处于领先地位2022 年我国ALD 设备国产化率不足2%，处于极低水平，国产设备厂商微导、拓荆、华创实现突破。微导纳米ALD 设备布局广，TALD、PEALD 两大工艺类型全覆盖，可镀HfO2、ZrO2、La2O3、TiO2、Al2O3、AlN、TiN 等多种材料，覆盖单片式、多片式，在逻辑、存储、新型显示、化合物半导体领域取得订单。
　　拓荆科技PEALD 进展较快，积极推动TALD 验证。北方华创承担ALD 设备02专项研发，布局TALD、PEALD，产品应用于集成电路等多个领域。多家公司实现技术突破，荷兰管制将进一步推动ALD 设备国产化工艺验证进度，国产化迎来加速期。
　　外延设备：先进芯片制造关键设备之一，华创已实现Si、SiC 等多种材料和4-12 英寸EPI 设备覆盖，中微公司积极研发锗硅外延工艺　　根据ASMI，2020 年全球半导体外延设备市场8 亿美元，预计2025 年将增长至15-18 亿美元。当前半导体外延设备市场主要由应用材料、ASMI 等公司占据，国内北方华创、中微公司已实现突破。北方华创作为中国外延工艺装备技术开拓者，具备多种材料外延生长技术能力，可生长包括单晶硅、多晶硅、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、磷化铟（InP）等，已实现4 英寸到12 英寸设备全覆盖。中微公司积极推进Epi 设备研发，以满足客户先进制程中锗硅外延工艺需求。
　　投资建议：荷兰光刻机制裁靴子落地，国内成熟制程扩产无虞，国内下游招投标下半年有望加速，利好国内半导体设备行业。同时，荷兰管制政策蔓延至其他设备，推动相关设备国产化加速突破，重点推荐微导纳米（ALD）、北方华创（ALD、Epi）、拓荆科技（ALD）、中微公司（Epi 研发）。
　　风险提示：下游招投标进度不及预期、设备国产化进度不及预期
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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